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标题: 闸流管和双向可控硅应用的十条黄金原则 [打印本页]

作者: 天涯浪子    时间: 2009-12-10 16:21     标题: 闸流管和双向可控硅应用的十条黄金原则

规则1. 为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑。

规则2. 要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须<IH, 并维持足够长的时间,使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件。

规则3. 设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+)。

规则4. 为减少杂波吸收,门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1 间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H 系列低灵敏度双向可控硅。

规则5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题,在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题,加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com 双向可控硅。

规则6. 假如双向可控硅的VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一:
负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感,以限制dIT/dt;
用MOV 跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路。

规则7. 选用好的门极触发电路,避开3+象限工况,可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力。

规则8. 若双向可控硅的dIT/dt 有可能被超出,负载上最好串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通。

规则9. 器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力。固定,然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。

规则10. 为了长期可靠工作,应保证Rth j-a 足够低,维持Tj 不高于Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。
作者: 谭飞    时间: 2009-12-10 16:28

直得我学习.谢了
作者: 学员5701-01    时间: 2009-12-10 18:40

感谢分享,论坛有你更精彩!
作者: 音响电器    时间: 2009-12-14 04:59

学习中
作者: 黄德义    时间: 2009-12-18 12:55

学习中,谢谢分享。
作者: 龚晓军    时间: 2009-12-18 13:01

学习了,感谢分享!
作者: 金福源家电    时间: 2010-2-24 14:17

学习学习,收藏了,谢谢。
作者: xiaojin1    时间: 2010-9-12 17:22

直得我学习。
作者: 泡泡猪    时间: 2010-12-20 00:45

学习学习,收藏了,谢谢。




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